| ||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ogólne informacje | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Wzór sumaryczny |
GaAs |
|||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Masa molowa |
144,64 g/mol |
|||||||||||||||||||||||||||||
| Wygląd |
szare regularne kryształy |
|||||||||||||||||||||||||||||
| Identyfikacja | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Numer CAS | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PubChem | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jeżeli nie podano inaczej, dane dotyczą stanu standardowego (25 °C, 1000 hPa) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.
Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.
Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz. Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) Według = 1,424 eV.
Zastosowanie
Arsenek galu stosuje się m.in. w produkcji:
- szybko reagujących cyfrowych i analogowych układów scalonych
- diod
- laserów
- baterii słonecznych
- fotodetektorów
- czujników pola magnetycznego
- sond biomedycznych